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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  2SK3176(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-247
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  STB40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7248
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLZ44, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4897
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  STW13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-3091
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9540, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF9540PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5152
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3878(F), 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  2SK3878(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-354
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ44PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4862
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3652, 9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 150000 mW,
• 制造商零件编号：
  FDP3652
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4825
  
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