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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S405ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8995
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3-100, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPB17N25S3-100
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9002
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPI147N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2289
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRLU3103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5062
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1205PBF, 44 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR1205PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0115
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ46NL, 39 A，53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ46NL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9203
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103TRPBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3363
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ46NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4848
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ46NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0711
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L05ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S4L05ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8998
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1205TRPBF, 44 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR1205TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4026
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6990
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPP040N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2144
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0579
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4L-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S4L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9339
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPI80N06S4L-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S4L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9342
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S405, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6785
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB144N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IPB144N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7201
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NSTRLPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 107 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ46NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5167
  
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