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• Fairchild Semiconductor FPAB30BH60B N通道 IGBT 模块, 60 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 IC封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FPAB30BH60B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4995
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7650, 232 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS7650
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6358
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86322
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9642
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS039N08B, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS039N08B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5908
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320L, 100 A，238 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS8320L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9187
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHD3N50D-GE3, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SIHD3N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9143
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP6N40D-GE3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SIHP6N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9187
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7164DP-T1-GE3, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SI7164DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9529
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IPB50R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5158
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IPI60R250CPAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6700
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 124 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86500L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4897
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86101A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8439
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMS86163P, 7.9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86163P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8442
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7110TRPBF, 58 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH7110TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4177
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IPP65R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7595
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8460, 167 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS8460
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4844
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86200, 52 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86200
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4850
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5215TR2PBF, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5215TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4365
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SIHP5N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9184
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SIR870ADP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9355
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIR872DP-T1-GE3, 54 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  SIR872DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9364
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R280C6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 104 W,
• 制造商零件编号：
  IPI65R280C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6716
  
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