品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon FP20R06W1E3_B11 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 29 A, Vce=600 V, 22引脚 EASY1B封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
FP20R06W1E3_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6955
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPD90N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7479
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPD031N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5446
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPD036N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9364
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPB80N04S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4509
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPP80N04S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6971
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPS031N03LGAKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7044
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4769
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3103SPBF, 64 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IRL3103SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0383
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8403TR, 123 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
AUIRFN8403TR
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4149
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N04N G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPP041N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2321
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034N03LG, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPP034N03LGXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0198
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9777
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44NS, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
AUIRFZ44NS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1888
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3315S, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
AUIRF3315S
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9124
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB123N10N3G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPB123N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9036
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04LG, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPD036N04LG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5069
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPB80N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2191
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP126N10N3 G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPP126N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2273
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04L G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPP039N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2330
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Infineon FB20R06W1E3 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 29 A, Vce=600 V, 23引脚 EASY1B封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
FB20R06W1E3
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6951
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Infineon FP06R12W1T4_B3 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 12 A, Vce=1200 V, 21引脚 EASY1B封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
FP06R12W1T4_B3
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6964
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315PBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IRF3315PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9226
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315STRLPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IRF3315STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2803
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 94 W,
制造商零件编号:
IPI80N04S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
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