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• ON Semiconductor 2SA1705S-AN , PNP 晶体管, 1 A, Vce=50 V, HFE:140, 1 MHz, 3引脚 NMP封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  2SA1705S-AN
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0663
  
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• ON Semiconductor CPH3122-TL-E , PNP 晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:200, 400 MHz, 3引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH3122-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5237
  
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• ON Semiconductor CPH3240-TL-E , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:140, 120 MHz, 3引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH3240-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9982
  
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• Fairchild Semiconductor KSA916YTA , PNP 晶体管, 800mA, Vce=120 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  KSA916YTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4440
  
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• Fairchild Semiconductor KSC2383YTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  KSC2383YTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4493
  
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• Toshiba 2SA1428-Y(F) , PNP 双极晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:120, 100 MHz, 3引脚 MSTM封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  2SA1428-Y(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  185-108
  
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• ON Semiconductor CPH3116-TL-E , PNP 晶体管, 1 A, Vce=50 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH3116-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0796
  
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• ON Semiconductor CPH3216-TL-E , NPN 晶体管, 1 A, Vce=50 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH3216-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0806
  
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• STMicroelectronics STX724 , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  STX724
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  686-7957
  
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• ON Semiconductor CPH3105-TL-E , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:200, 1 MHz, 3引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH3105-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0792
  
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• ON Semiconductor CPH3205-TL-E , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:200, 380 MHz, 3引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH3205-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5230
  
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• ON Semiconductor CPH5504-TL-E, 双 NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:70, 380 MHz, 5引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH5504-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5252
  
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• ON Semiconductor MCH3106-TL-E , PNP 晶体管, 3 A, Vce=12 V, HFE:200, 3引脚 MCPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  MCH3106-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-6663
  
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• Fairchild Semiconductor KSA1013YTA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  KSA1013YTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4406
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  FDC6301N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0155
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH5871-TL-H, 3.5 A, Vds=30 V, 5引脚 CPH封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  CPH5871-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0796
  
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• Vishay DG441DY-E3 模拟单刀单掷开关, 四单刀单掷, 15 V，18 V，24 V，28 V电源, 16引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  DG441DY-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5193
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2302CX RFG, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  TSM2302CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  398-423
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6321C, 460 mA，680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  FDC6321C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  354-4985
  
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• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2311CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  TSM2311CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6055
  
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• DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN21D2UFB-7B, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN21D2UFB-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5119
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  SI8806DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9272
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH3333A-TL-W, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 MCPH3封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  MCH3333A-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  920-9798
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET VEC2415-TL-E, 3 A, Vds=60 V, 8引脚 VEC封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  VEC2415-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9614
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8805EDB-T2-E1, 2.5 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大功率耗散 900 mW,
• 制造商零件编号：
  SI8805EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1431
  
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