规格:最大功率耗散 830 mW,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor BF423ZL1G , PNP 高压双极晶体管, 500 mA, Vce=250 V, HFE:50, 60 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BF423ZL1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0129
搜索
NXP PBSS5350SS,115 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 8-SO封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
PBSS5350SS,115
品牌:
NXP
库存编号:
518-1968
搜索
Fairchild Semiconductor BC63916_D27Z , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:100, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BC63916_D27Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1150
搜索
ON Semiconductor NSS40601CF8T1G , NPN 晶体管, 6 A, Vce=40 V, HFE:200, 140 MHz, 8引脚 ChipFET封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
NSS40601CF8T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-6809
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BSH114,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-539
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170_D26Z, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BS170_D26Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3596
搜索
Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
SI3865DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4270
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
2N7002
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8398
搜索
NXP N沟道 MOSFET 2N7002F,215, 475 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
2N7002F,215
品牌:
NXP
库存编号:
725-8300
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTR4003NT3G, 560 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
NTR4003NT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4742
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Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
NX3008PBKW
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-0582
搜索
Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
SI3900DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4277
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH108,215, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BSH108,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-324
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BST82
品牌:
Nexperia
库存编号:
112-5548
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 BSN20, 170 mA, Vds=50 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BSN20,215
品牌:
NXP
库存编号:
437-0656
查看其他仓库
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 2N7002E,215, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
2N7002E,215
品牌:
NXP
库存编号:
725-8307
查看其他仓库
NXP BZT52H-B3V3 单路 齐纳二极管, 3.3V 2% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-B3V3
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0936
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NXP BZT52H-C8V2 单路 齐纳二极管, 8.7V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-C8V2
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0954
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NXP BZT52H-C62 单路 齐纳二极管, 62V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-C62
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7867
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Nexperia BZT52H-C30,115 单路 齐纳二极管, 30V 7% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-C30,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8275
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Nexperia BZT52H-B5V1 单路 齐纳二极管, 5.1V 2% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-B5V1
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0948
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NXP BZT52H-C5V6 单路 齐纳二极管, 6V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-C5V6
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0951
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NXP BZT52H-C3V6 单路 齐纳二极管, 3.6V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-C3V6
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7864
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NXP BZT52H-B47 单路 齐纳二极管, 47V 2% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-B47
品牌:
Nexperia
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NXP BZT52H-C10 单路 齐纳二极管, 10V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
规格:最大功率耗散 830 mW,
制造商零件编号:
BZT52H-C10
品牌:
Nexperia
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