品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3709ZPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRF3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6847
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
AUIRLR3410
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7420
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LG, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPB042N03LG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9462
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPB80N06S4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4530
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPD040N03LGBTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4562
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP80N06S4L-07, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPP80N06S4L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7006
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPS040N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2138
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRFR3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3941
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N04S3-07, 82 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPD70N04S3-07
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3024
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPD040N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5459
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8401, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
AUIRFR8401
品牌:
Infineon
库存编号:
787-0988
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N06S4L07ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPB80N06S4L07ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9459
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP084N06L3GHKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPP084N06L3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6858
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9530NPBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRF9530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4860
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3910PBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRFR3910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0137
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL530NPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRL530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1203
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLU9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRLU9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4643
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB081N06L3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPB081N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9525
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD079N06L3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPD079N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5088
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410TRPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRLR3410TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3379
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N04N G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IPP048N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2346
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410PBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRLR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3809
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3910PBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRFU3910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1641
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410PBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
IRLR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0585
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8401, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 79 W,
制造商零件编号:
AUIRFU8401
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1036
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