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• Infineon IRG4PH20KDPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PH20KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3259
  
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• Infineon IRG4BC20FPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC20FPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0892
  
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• Infineon IRG4BC20KDSTRLP N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC20KDSTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5067
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC160N10NS3G, 42 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  BSC160N10NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9250
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N03S2L-20
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4580
  
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• Infineon IRG4BC20UD-SPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC20UD-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0895
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4212PBF, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4212PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6945
  
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