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• Fairchild Semiconductor BU406 , NPN 晶体管, 7 A, Vce=200 V, HFE:10, 10 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  BU406
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5217
  
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• Fairchild Semiconductor D44H8 , NPN 晶体管, 8 A, Vce=60 V, HFE:40, 50 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  D44H8
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5305
  
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• Fairchild Semiconductor BU406TU , NPN 晶体管, 7 A, Vce=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  BU406TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0329
  
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• Fairchild Semiconductor FJAFS1510ATU , NPN 晶体管, 6 A, Vce=750 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  FJAFS1510ATU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9240
  
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• Taiwan Semiconductor TSC741CZ COG , NPN 晶体管, 2.5 A, Vce=450 V, HFE:18, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  TSC741CZ COG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  900-9037
  
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• Fairchild Semiconductor D45H11 , PNP 晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:40, 40 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  D45H11
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5302
  
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• Fairchild Semiconductor D45C8 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=60 V, HFE:20, 32 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  D45C8
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5308
  
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• Fairchild Semiconductor BDX53C NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  BDX53C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4119
  
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• Fairchild Semiconductor FJAFS1720TU NPN 发射器开关, 12 A 0.304V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  FJAFS1720TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8944
  
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• Fairchild Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  BDX53CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5172
  
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• Fairchild Semiconductor BDX54CTU PNP 达林顿晶体管对, -8 A, Vce=-100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  BDX54CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5181
  
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• Infineon IRG4PH20KDPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PH20KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3259
  
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• Infineon IRG4BC20FPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC20FPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0892
  
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• Fairchild Semiconductor FGD3N60UNDF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  FGD3N60UNDF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8830
  
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• Infineon IRG4BC20KDSTRLP N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC20KDSTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5067
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP14NF10, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STP14NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6780
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8447L, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  FDB8447L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8995
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STD20NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0411
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD20N06LT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  NTD20N06LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7879
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STD6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3615
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STU7N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3823
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STD7N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9295
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STI45N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STI45N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5870
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N3LLH5, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  STL60N3LLH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9120
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 60 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ24PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0672
  
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