规格:最大功率耗散 1.5 kW,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS IXYX120N120C3 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
IXYX120N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-1000
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN110N60P3, 90 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
IXFN110N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7596
查看其他仓库
Fuji Electric 2MBi200SB-120-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 M235封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
2MBi200SB-120-50
品牌:
Fuji
库存编号:
716-5564
查看其他仓库
Infineon FF225R17ME4_B11 N通道 IGBT 模块, 串行, 340 A, Vce=1700 V, 11引脚 ECONOD封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
FF225R17ME4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-7068
查看其他仓库
IXYS IXYX120N120C3 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
IXYX120N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0234
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN210N30P3, 192 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
IXFN210N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7593
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN132N50P3, 112 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
IXFN132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7599
搜索
Fuji Electric 2MBI200S-120-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 7引脚 M234封装
规格:最大功率耗散 1.5 kW,
制造商零件编号:
2MBI200S-120-50
品牌:
Fuji
库存编号:
462-887
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