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• Fuji Electric 2MBI100TA-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=600 V, 7引脚 M232封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  2MBI100TA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  462-843
  
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• Infineon IHW20N120R3 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  IHW20N120R3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7751
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907Z, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP2907Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7467
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  STP200NF04
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0064
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75645S3ST, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  HUF75645S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8701
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FQA24N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4929
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA55N25, 55 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FQA55N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4948
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP1405, 160 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP1405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1819
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUFA76645S3ST_F085, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  HUFA76645S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9331
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0_F085, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDB045AN08A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7953
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3632_F085, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDB3632_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7988
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4229PBF, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6998
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDB035AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8927
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50F, 28 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDA28N50F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0783
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035AN06A0_F085, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDB035AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7950
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA65N20, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FQA65N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4950
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDB045AN08A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8936
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB2532, 79 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDB2532
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8951
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50, 28 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  FDA28N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5084
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP1405PBF, 160 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 310 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP1405PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4996
  
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