规格:最大功率耗散 1.9 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8125, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
TPC8125
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5115
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8884, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
FDMA8884
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1841
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMC8030, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
FDMC8030
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3504
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13306WT, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
CSD13306WT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9927
查看其他仓库
Toshiba TPC 系列 P沟道 Si MOSFET TPC8124, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
TPC8124
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5112
搜索
Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8128, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
TPC8128
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5119
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC7208S, 12 A,16 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
FDMC7208S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3490
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDZ192NZ, 5.3 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
FDZ192NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4905
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG2307L-7, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
DMG2307L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2539
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC89521L, 8.2 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大功率耗散 1.9 W,
制造商零件编号:
FDMC89521L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8240
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