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• DiodesZetex DXT690BP5-13 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:60, 150 MHz, 3引脚 PowerDI 5封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  DXT690BP5-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4310
  
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• DiodesZetex DXT2010P5-13 , NPN 晶体管, 6 A, Vce=60 V, HFE:300, 130 MHz, 3引脚 PowerDI 5封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  DXT2010P5-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1280
  
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• DiodesZetex DXT2011P5-13 , NPN 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:100, 130 MHz, 3引脚 PowerDI 5封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  DXT2011P5-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1283
  
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• DiodesZetex DXT790AP5-13 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=40 V, HFE:800, 100 MHz, 3引脚 PowerDI 5封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  DXT790AP5-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1303
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7309DN-T1-E3, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  SI7309DN-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3386
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17306Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17306Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4824
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17579Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3849
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16415Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD16415Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4808
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18533Q5A, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD18533Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4892
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17570Q5BT, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17570Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3827
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17578Q3AT, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17578Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3846
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17505Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17505Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  730-0543
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17506Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17506Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  742-2842
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD18563Q5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9256
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17303Q5, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17303Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4820
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18502Q5B, 204 A, Vds=40 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD18502Q5B
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4870
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17573Q5BT, 43 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCON-CLIP封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17573Q5BT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3821
  
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• ON Semiconductor 1PMT5920BT1G 单路 齐纳二极管, 6.2V 3.2 W, 2引脚 外壳 457-04封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  1PMT5920BT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-8891
  
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• ON Semiconductor 1PMT5924BT1G 单路 齐纳二极管, 9.1V 3.2 W, 2引脚 外壳 457-04封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  1PMT5924BT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-8901
  
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• ON Semiconductor 1PMT5927BT1G 单路 齐纳二极管, 12V 3.2 W, 2引脚 外壳 457-04封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  1PMT5927BT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-8904
  
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• ON Semiconductor 1PMT5933BT1G 单路 齐纳二极管, 22V 3.2 W, 2引脚 外壳 457-04封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  1PMT5933BT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-8917
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4909DY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  SI4909DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1302
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16414Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD16414Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4795
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17301Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4818
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17559Q5, 257 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：最大功率耗散 3.2 瓦,
• 制造商零件编号：
  CSD17559Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4868
  
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