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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0830
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5659
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI8489EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1438
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8461DB-T2-E1, 3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI8461DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1425
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4764
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2377EDS-T1-GE3, 3.5 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI2377EDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3145
  
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