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• Fuji Electric 7MBR35SB-120-50 N通道 IGBT 模块, 50 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR35SB-120-50
  品牌：
  Fuji
  库存编号：
  716-5662
  
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• STMicroelectronics STGW40N120KD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  STGW40N120KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9123
  
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• STMicroelectronics STGW40N120KD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  STGW40N120KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  102-3540
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW24N60C3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  SPW24N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7236
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP12N60NZ, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  FDP12N60NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9175
  
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• Fuji Electric 7MBR35SB-140-50 N通道 IGBT 模块, 50 A, Vce=1400 V, 24引脚 M712封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR35SB-140-50
  品牌：
  Fuji
  库存编号：
  716-5555
  
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• DAWIN Electronics DL2G50SH6N N通道 IGBT 模块, Isolated, 75 A, Vce=600 V, 6引脚 6DM-2封装
  
  规格：最大功率耗散 240 W,
• 制造商零件编号：
  DL2G50SH6N
  品牌：
  DAWIN Electronics
  库存编号：
  742-3330
  
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