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• ON Semiconductor MJL4281AG , NPN 晶体管, 15 A, Vce=350 V, HFE:10, 35 MHz, 3引脚 TO-3PBL封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  MJL4281AG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  100-7570
  
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• ON Semiconductor MJL4302AG , PNP 晶体管, 15 A, Vce=350 V, HFE:10, 35 MHz, 3引脚 TO-3BPL封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  MJL4302AG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  102-2278
  
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• Infineon IHW40N65R5 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  IHW40N65R5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7143
  
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• Toshiba GT50NR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1050 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT50NR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4870
  
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• IXYS IXA40PG1200DHGLB 双 N沟道 串联 IGBT, 63 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  IXA40PG1200DHGLB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2557
  
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• Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT50MR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2759
  
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• Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT50MR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4876
  
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• Fuji Electric FGW35N60HD N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  FGW35N60HD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9014
  
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• Fuji Electric FGW30N60VD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  FGW30N60VD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9036
  
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• Toshiba GT40RR21 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT40RR21
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5052
  
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• Toshiba GT50JR22 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT50JR22
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5064
  
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• Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT40QR21,F(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4860
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4867
  
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• IXYS IXYH20N120C3D1 N沟道 IGBT, 36 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  IXYH20N120C3D1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0269
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2734
  
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• Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  GT40QR21,F(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2743
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  STW12NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1995
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807PBF, 82 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2807PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2569
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1405ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7414
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5107
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6198
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2338
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZL, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1405ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7405
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5097
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7537TRLPBF, 173 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 230 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7537TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8877
  
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