规格:最大功率耗散 225 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon FS35R12W1T4 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 65 A, Vce=1200 V AG-EASY1B-1封装
规格:最大功率耗散 225 W,
制造商零件编号:
FS35R12W1T4
品牌:
Infineon
库存编号:
111-6104
查看其他仓库
Infineon FS35R12W1T4_B11 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 65 A, Vce=1200 V, 22引脚 EASY1B封装
规格:最大功率耗散 225 W,
制造商零件编号:
FS35R12W1T4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-7024
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 225 W,
制造商零件编号:
FQH8N100C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5857
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 225 W,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6277
搜索
Fuji Electric 6MBi75U2A-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=600 V, 28引脚 M636封装
规格:最大功率耗散 225 W,
制造商零件编号:
6MBi75U2A-060-50
品牌:
Fuji
库存编号:
716-5595
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 225 W,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2436
搜索
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