规格:最大功率耗散 210 W,
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Fuji Electric 7MBR35VB-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
7MBR35VB-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9134
搜索
Infineon FS35R12KT3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 28引脚 ECONO2封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
FS35R12KT3
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6983
搜索
Infineon FP35R12KT4_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 23引脚 ECONO2封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
FP35R12KT4_B11
品牌:
Infineon
库存编号:
838-7055
查看其他仓库
Fuji Electric 7MBR35VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
7MBR35VA-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9133
查看其他仓库
Infineon FP40R12KE3G N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
FP40R12KE3G
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6888
搜索
Infineon IRG7PH30K10PBF N沟道 IGBT, 33 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
IRG7PH30K10PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7559
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STP35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6477
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP46N15, 45 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
FQP46N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5124
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STB34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9500
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STP34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0106
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STB45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2949
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STW45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2986
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
PSMN6R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8128
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STB35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6462
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STW35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6482
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Infineon N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
IPP80N06S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8388
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STP45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8834
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Infineon FP40R12KE3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 24引脚 EconoPIM2封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
FP40R12KE3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8316
搜索
Infineon FP40R12KT3G N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 55 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
FP40R12KT3G
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6882
查看其他仓库
Infineon F12-35R12KT4G N通道 IGBT 模块, 六角桥接, 35 A, Vce=1200 V, 38引脚 ECONO3封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
F12-35R12KT4G
品牌:
Infineon
库存编号:
838-6905
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Infineon IRG7PH35UPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
IRG7PH35UPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7556
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STW34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0323
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
STP45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3107
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 210 W,
制造商零件编号:
PSMN6R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3019
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