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• ON Semiconductor 2N3055G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=60 V, HFE:5, 2.5 MHz, 3引脚 TO-204封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  2N3055G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-2964
  
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• Fuji Electric 7MBR25UA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR25UA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  716-5656
  
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• Infineon FP30R06W1E3_B11 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 37 A, Vce=600 V, 23引脚 EASY1B封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FP30R06W1E3_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6989
  
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• STMicroelectronics STGP10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STGP10H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7139
  
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• Littlefuse NGB18N40ACLBT4G N沟道 IGBT, 18 A, Vce=430 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  NGB18N40ACLBT4G
  品牌：
  Littlefuse
  库存编号：
  805-4383
  
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• STMicroelectronics STGB10M65DF2 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STGB10M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2782
  
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• STMicroelectronics STGP10M65DF2 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STGP10M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2795
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5862N-1G, 98 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5862N-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1036
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD5862NT4G, 98 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5862NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1480
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8039
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP30NF10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STP30NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7585
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STP35NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7614
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF10T4, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STB30NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5194
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB35NF10T4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STB35NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0673
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N04S4-H2, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPP100N04S4-H2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6864
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3821
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0939
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9052
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44V, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44V
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9209
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3 G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPP057N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5550
  
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• Fairchild Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FTCO3V455A1
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9227
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPD048N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2896
  
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• Fairchild Semiconductor FGAF40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FGAF40N60SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0763
  
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• STMicroelectronics STGB10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STGB10H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7444
  
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• STMicroelectronics STGB15H60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STGB15H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7454
  
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