规格:最大功率耗散 156 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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HY Electronic Corp HYG15P120A1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 22引脚
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
HYG15P120A1K1
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
916-3321
查看其他仓库
ON Semiconductor NGTB15N120LWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
NGTB15N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7352
搜索
ON Semiconductor NGTB20N120IHSWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
NGTB20N120IHSWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7377
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Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTD2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FGA50N100BNTD2
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0757
搜索
Infineon IRGSL10B60KDPBF N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRGSL10B60KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0996
查看其他仓库
HY Electronic Corp HYG15P120H1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 24引脚
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
HYG15P120H1K1
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
916-3343
查看其他仓库
HY Electronic Corp HYG15P120B1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 23引脚
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
HYG15P120B1K1
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
916-3349
查看其他仓库
ON Semiconductor NGTB15N120IHLWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
NGTB15N120IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7358
搜索
Infineon IRGS10B60KDPBF N沟道 IGBT, 22 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRGS10B60KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4870
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9157
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPI15N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8778
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP15N60C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP15N60C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8810
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP15N60CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8813
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC100N10NSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4375
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8665
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3190
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STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STW9NK70Z, 7.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
STW9NK70Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2947
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FCP260N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1143
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
MDP10N60GTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4946
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC082N10LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4312
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86150, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86150
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1203
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP8N50D-GE3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SIHP8N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9181
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86350, 130 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86350
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8483
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86550, 155 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86550
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8492
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPP90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7611
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