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• ON Semiconductor BUV26G , NPN 晶体管, 20 A, Vce=90 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  BUV26G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5303
  
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• IXYS IXA12IF1200TC N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268AA封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  IXA12IF1200TC
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0297
  
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• IXYS IXA12IF1200PB N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  IXA12IF1200PB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0997
  
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• IXYS IXA12IF1200PB N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  IXA12IF1200PB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0231
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STB10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STB10N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5690
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STD12N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5629
  
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• Infineon BTS640S2G 多路复用器开关集成电路 功率, 5 → 34 V电源, 5引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  BTS640S2G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5778
  
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• Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK9535-55A,127, 34 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  BUK9535-55A,127
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  103-7544
  
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• STMicroelectronics SuperMESH 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 STD3PK50Z, 2.8 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STD3PK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-0030
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP2N90, 2.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  FQP2N90
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5089
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP24NF10, 26 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STP24NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5377
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STD11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3037
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STP15N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3062
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STD15N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3078
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STB15N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3116
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STU10N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7936
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD80N10F7, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STD80N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5732
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76423P3, 33 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  HUF76423P3
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8714
  
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• IXYS IXA12IF1200HB N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  IXA12IF1200HB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0256
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BUK9535-55A,127, 34 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  BUK9535-55A,127
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  484-2892
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP2N80, 2.4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  FQP2N80
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5070
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STP11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3068
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STB11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3074
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STD10N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3606
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 85 W,
• 制造商零件编号：
  STP10N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3763
  
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