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• Nexperia PBHV8540Z , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=500 V, HFE:10, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  PBHV8540Z
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  801-5574
  
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• NXP BCP69-25 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=20 V, HFE:160, 140 MHz, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  BCP69-25
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  508-961
  
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• Nexperia BCP69 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=20 V, HFE:50, 140 MHz, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  BCP69
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  484-2325
  
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• NXP PBSS8110Z,135 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:80, 100 MHz, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS8110Z,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  518-2107
  
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• NXP PBSS9110Z , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS9110Z
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  518-2163
  
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• STMicroelectronics 2STF2360 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:80, 130 MHz, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  2STF2360
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-8530
  
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• Nexperia PBHV9040Z , PNP 晶体管, 250 mA, Vce=400 V, HFE:10, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  PBHV9040Z
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  801-5583
  
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• Nexperia PBHV9050Z , PNP 晶体管, 250 mA, Vce=500 V, HFE:70, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  PBHV9050Z
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  801-5586
  
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• NXP PBHV9115Z , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  PBHV9115Z
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-0652
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4812BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4812BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3355
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-E3, 2.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3377
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFMA2P029Z, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDFMA2P029Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6197
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMA1024NZ, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA1024NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6216
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET FDME1034CZT, 2.6 A，3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDME1034CZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9147
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDFME2P823ZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9490
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDME1024NZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9576
  
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• ON Semiconductor ECH8651R-TL-HX, 双 N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=24 V, 8针 ECH封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  ECH8651R-TL-HX
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9431
  
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• ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 ECH8649-TL-H, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  ECH8649-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0829
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI3993CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3189
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2160UFDB-7, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMP2160UFDB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-8499
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7309TRPBF, 3 A，4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7309TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8866
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG2305UX-13, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMG2305UX-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0522
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3402L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMG3402L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1026
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3418L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMG3418L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1035
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7904PBF, 7.6 A，11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 1.4 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7904PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5523
  
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