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• STMicroelectronics STGB7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  STGB7H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2789
  
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• STMicroelectronics STGP7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  STGP7H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2802
  
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• STMicroelectronics STGP5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  STGP5H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2808
  
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• Infineon IKP06N60T N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IKP06N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7169
  
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• Infineon IKB06N60T N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IKB06N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8570
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL530PBF, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IRL530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4866
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP80P04P4L-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80P04P4L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7028
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IRF530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9859
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD80P03P4L-07, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPD80P03P4L-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7433
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8796, 35 A，98 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  FDD8796
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0941
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB80P04P4L-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80P04P4L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4552
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L-07, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80P03P4L-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6798
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPI80P04P4L-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80P04P4L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6814
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3802PBF, 84 A, Vds=12 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3802PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5135
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF530STRL-GE3, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF530STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2610
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF530STRR-GE3, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF530STRR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2613
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9Z34STRL-GE3, 13 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF9Z34STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2685
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P04P4-07, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80P04P4-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6801
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB5605PT4G, 18.5A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  NTB5605PT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0998
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P04P407ATMA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80P04P407ATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9487
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P04P4-07, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80P04P4-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7016
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 88 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0036
  
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