品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML6302GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3310
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML5103GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1012
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4744
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2803TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-022
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803GTRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2803GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1019
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2803TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4735
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302PBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML6302PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6851
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2402GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3316
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4731
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