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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP20N06, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  FQP20N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5051
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF16N15, 11.6 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF16N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5222
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP20N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  FQP20N06L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5054
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30E06N1, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  TK30E06N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5083
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP11P06, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  FQP11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8766
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ7415AEN-T1_GE3, 11 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  SQ7415AEN-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3927
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQB11P06TM, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 53 W,
• 制造商零件编号：
  FQB11P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8750
  
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