规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
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半导体
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Nexperia BCV46TA PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-60 V, HFE=10000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCV46TA
品牌:
Nexperia
库存编号:
822-2163
搜索
DiodesZetex MMBTA63-7-F PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-30 V, HFE=10000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
MMBTA63-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3043
搜索
NXP PDTB113ET PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTB113ET
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-866
搜索
NXP PDTB123ET PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTB123ET
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-888
搜索
NXP PDTA114EU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114EU,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2185
搜索
NXP PDTA114YU PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 UMT封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114YU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2258
搜索
NXP PDTA144WT PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA144WT
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2680
搜索
NXP PUMB10 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PUMB10
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3548
搜索
Infineon BCR198E6433 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR198E6433
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8330
搜索
Infineon BCR198SH6327 双 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR198SH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8334
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Infineon BCR196WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.13, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR196WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8337
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ON Semiconductor MMBTA64LT1G PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-30 V, HFE=5000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
MMBTA64LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
781-4294
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DiodesZetex MMBTA64 PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-30 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
MMBTA64-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3047
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Fairchild Semiconductor BC516_D27Z PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=-30 V, HFE=30000, 3引脚 TO-92封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BC516_D27Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4103
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NXP PDTA114ET,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114ET,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-3441
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NXP PUMB13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 UMT封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PUMB13
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3560
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NXP PDTA114EE,115 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114EE,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8489
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Fairchild Semiconductor FJN4301RTA PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-92封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
FJN4301RTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0874
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Infineon BCR183WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR183WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8318
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Infineon BCR191WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR191WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8321
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Infineon BCR196E6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.13, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR196E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8328
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Infineon BCR553E6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR553E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8368
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DiodesZetex ZXTP05120HFFTA PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=-120 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23F封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
ZXTP05120HFFTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
712-2882
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ON Semiconductor MMBTA63LT1G PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-30 V, HFE=5000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
MMBTA63LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
781-4285
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NXP BCV46 PNP 达林顿晶体管对, -500 mA, Vce=-60 V, HFE=2000, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCV46
品牌:
Nexperia
库存编号:
865-2090
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