规格:最大发射极-基极电压 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Magnatec BUP53 , NPN 双极晶体管, 60 A, Vce=250 V, HFE:5, 3引脚 TO-3封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BUP53
品牌:
Magnatec
库存编号:
655-925
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STMicroelectronics HD1750FX , NPN 晶体管, 24 A, Vce=800 V, HFE:6.5 @ 12 A @ 5 V, 3引脚 ISOWATT218FX封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
HD1750FX
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2671
搜索
Taiwan Semiconductor TS13003HVCT A3G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=530 V, HFE:6, 4 MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
TS13003HVCT A3G
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-502
搜索
Magnatec BUP52 , NPN 双极晶体管, 70 A, Vce=200 V, HFE:8, 3引脚 TO-3封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BUP52
品牌:
Magnatec
库存编号:
655-919
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Taiwan Semiconductor TSC5302DCH C5G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=400 V, HFE:5, 3引脚 TO-251封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
TSC5302DCH C5G
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
900-9015
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ON Semiconductor BC517G NPN 达林顿晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE=30000, 3引脚 TO-92封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BC517G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-303
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DiodesZetex ZTX605 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=500, 3引脚 E-Line封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
ZTX605
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
655-593
搜索
Nexperia BCV49,115 NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=60 V, HFE=2000, 4引脚 UPAK封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCV49,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-2331
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ON Semiconductor MPSA13G NPN 达林顿晶体管, 0.5 A, Vce=30 V, HFE=5000, 3引脚 TO-92封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
MPSA13G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
625-4657
搜索
DiodesZetex FCX705TA PNP 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
FCX705TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7568
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Fairchild Semiconductor BCV27 NPN 达林顿晶体管对, 1.2 A, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCV27
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1125
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NXP BCV47,215 NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCV47,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8464
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DiodesZetex BCV49TA NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCV49TA
品牌:
Nexperia
库存编号:
738-4910
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DiodesZetex BCV47TA NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCV47TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-3531
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ON Semiconductor MPSA13RLRAG NPN 达林顿晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE=5000, 3引脚 TO-92封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
MPSA13RLRAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6218
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Fairchild Semiconductor NZT605 NPN 达林顿晶体管对, 1.5 A, Vce=110 V, HFE=200, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
NZT605
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1268
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DiodesZetex FZT605TA NPN 达林顿晶体管对, 1.5 A, Vce=120 V, HFE=500, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
FZT605TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7718
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NXP PMD9003D,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PMD9003D,115
品牌:
NXP
库存编号:
509-453
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NXP PMD9001D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PMD9001D,115
品牌:
NXP
库存编号:
509-790
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Infineon BCR 198 E6327 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR 198 E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7759
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NXP PDTC123JT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC123JT,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2905
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NXP PDTC124ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC124ET,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2949
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NXP PEMH13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SSMini封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PEMH13
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3447
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NXP PUMH15 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PUMH15
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3863
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NXP PUMH17 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 6引脚 UMT封装
规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PUMH17
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3891
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