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产品描述 / 参考图片
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STMicroelectronics M95M01-RMN6TP EEPROM 存储器, 1Mbit, 131072 x, 8bit, SPI接口, 25ns, 1.8 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
M95M01-RMN6TP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
880-5358
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Toshiba TC58NVG2S3EBAI5 闪存, 4Gbit (512M x 8), 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
TC58NVG2S3EBAI5
品牌:
Toshiba
库存编号:
752-2291
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Macronix MX30LF1G08AA-TI 闪存, 1Gbit (128M x 8 位), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚 TSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
MX30LF1G08AA-TI
品牌:
Macronix
库存编号:
914-2841
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Macronix MX30LF1208AA-TI 闪存, 512Mbit (64M x 8 位), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚 TSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
MX30LF1208AA-TI
品牌:
Macronix
库存编号:
914-2847
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IDT IDT72V05L25JGI 双 72kbit FIFO 存储器, 8K x 9 位, 双向总线, 25ns随机存取时间, 3 → 3.6 V电源, 32引脚 PLCC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
IDT72V05L25JGI
品牌:
IDT
库存编号:
714-4958
搜索
Toshiba TC58NVG0S3EBAI4 闪存, 1 Gbyte (128M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
TC58NVG0S3EBAI4
品牌:
Toshiba
库存编号:
752-2282
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Toshiba TC58NVG1S3EBAI5 闪存, 2 GByte (256M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
TC58NVG1S3EBAI5
品牌:
Toshiba
库存编号:
752-2289
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Toshiba TC58NVG2S3ETAI0 闪存, 4Gbit (512M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚 TSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
TC58NVG2S3ETAI0
品牌:
Toshiba
库存编号:
752-2295
搜索
Toshiba TC58NVG1S3ETAI0 闪存, 2 GByte (256M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚 TSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
TC58NVG1S3ETAI0
品牌:
Toshiba
库存编号:
752-2298
搜索
Microchip 23K256-I/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 个字 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
23K256-I/SN
品牌:
Microchip
库存编号:
666-8148
搜索
IDT IDT70V25L25PFGI, 128kbit SRAM 内存, 8K x 16 位, 3 → 3.6 V, 100针 TQFP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
IDT70V25L25PFGI
品牌:
IDT
库存编号:
714-4839
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Cypress Semiconductor CY7C131E-25NXC, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8, 1MHz, 4.5 → 5.5 V, 52针 PQFP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
CY7C131E-25NXC
品牌:
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2604
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IDT IDT70V261L25PFGI, 256kbit SRAM 内存, 16K x 16 位, 3 → 3.6 V, 100针 TQFP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
IDT70V261L25PFGI
品牌:
IDT
库存编号:
714-4731
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Microchip 23K256-I/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 个字 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
23K256-I/SN
品牌:
Microchip
库存编号:
889-5648
搜索
Microchip 23K640-I/P, 64kbit SRAM 内存, 8192 个字 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 PDIP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
23K640-I/P
品牌:
Microchip
库存编号:
666-8157
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IDT IDT71V30L25TFG, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8 位, 3 → 3.6 V, 64针 TQFP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
IDT71V30L25TFG
品牌:
IDT
库存编号:
714-4860
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Microchip 23K256-I/ST, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
23K256-I/ST
品牌:
Microchip
库存编号:
715-4356
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ON Semiconductor N25S830HAS22I, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
N25S830HAS22I
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1951
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ON Semiconductor N25S830HAT22I, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
N25S830HAT22I
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1960
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ISSI IS61C5128AS-25QLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 最大为 +5 V, 32针 SOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
IS61C5128AS-25QLI
品牌:
ISSI
库存编号:
811-5169
搜索
Microchip 23LC512-I/ST, 512kbit SRAM 内存, 64K x 8 位, 20MHz, 2.5 至 5.5 V, 8针 TSSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
23LC512-I/ST
品牌:
Microchip
库存编号:
823-4532
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Cypress Semiconductor CY14B256LA-SP25XI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 48针 SSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
CY14B256LA-SP25XI
品牌:
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2458
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IDT72V04L25JGI 双 36kbit FIFO 存储器, 4K x 9 位, 双向, 25ns, 3 → 3.6 V, 32针 PLCC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
IDT72V04L25JGI
品牌:
IDT
库存编号:
714-4946
搜索
SN74ACT2235-60FN 双 18kbit FIFO 存储器, 1K x 9 位, 双向, 25ns, 16.7MHz, 4.5 → 5.5 V, 44针 PLCC封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
SN74ACT2235-60FN
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
732-1177
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Toshiba TC58NVG0S3ETAI0 闪存, 1 Gbyte (128M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚 TSOP封装
规格:最长随机存取时间 25ns,
制造商零件编号:
TC58NVG0S3ETAI0
品牌:
Toshiba
库存编号:
752-2285
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