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• ON Semiconductor MJD31C1G , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  MJD31C1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5340
  
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• ON Semiconductor MJD340G , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 10 MHz, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  MJD340G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5343
  
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• ON Semiconductor MJD45H11-1G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 20 MHz, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  MJD45H11-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5353
  
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• Infineon IRGR4045DPBF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRGR4045DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1130
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1275
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU1018EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7115
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4822
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8405, 100 A, 211 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  AUIRFU8405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1045
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IPS031N03LGAKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7044
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R2K0CEBKMA1, 2.4 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IPU50R2K0CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7066
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  FCD7N60TM_WS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1255
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFR3707ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4993
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRLU3103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5062
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRLU3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5072
  
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• Infineon TLE4284D V50 LDO 稳压器, 5 V输出, 1A最大输出, 3%精确度, -0.3 → 40 V输入, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  TLE4284D V50
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3254
  
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• Fairchild Semiconductor FDDS100H06_F085, 单输出 智能电源开关, 高侧开关, 3A, 5.5 → 37V, 41.6W, 5引脚 TO-252封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  FDDS100H06_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5867
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1607
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU210PBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU210PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1629
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9210PBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU9210PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1679
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU9310PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9967
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7134
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRLU8259PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7291
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU320PBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：高度 6.22mm,
• 制造商零件编号：
  IRFU320PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4840
  
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