品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon ICE2QR0665Z 交流-直流电源转换, PWM 控制器控制, 65 kHz最高开关频率, -0.3 → 27 V输入, 7引脚 DIP封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
ICE2QR0665Z
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7123
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Infineon IGB10N60T N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IGB10N60T
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9055
搜索
Infineon ICE3AR0680JZ 交流-直流电源转换, SMPS 电流模式控制, 113 kHz最高开关频率, 最高 25V输入, 7引脚 DIP封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
ICE3AR0680JZ
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7101
查看其他仓库
Infineon IKB06N60T N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IKB06N60T
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8570
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Infineon AUIRS2332J 3路 MOSFET 功率驱动器, 250mA, 半桥, 反相, 44引脚 PLCC封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
AUIRS2332J
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9394
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB072N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8340
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
SPB17N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8482
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
SPB80P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3166
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPP072N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5480
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPP037N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5487
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB027N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9235
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB530N15N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8982
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB60R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9049
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB600N25N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9204
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB180N06S4H1ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5182
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB180N06S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5189
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8671
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB034N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7419
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB65R660CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7444
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R074C6, 58 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPP60R074C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7563
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPP65R280E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7595
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPP65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7608
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:高度 4.57mm,
制造商零件编号:
IPB200N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
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