规格:高度 11.3mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
4D Systems 3.3 → 5V UART(通用异步收发器) 音频模块, 21 x 20.5 x 11.3mm
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
SOMO-II
品牌:
4D Systems
库存编号:
841-7869
搜索
Taiwan Semiconductor GBL10 D2 单相 整流桥, 4A 1000V, 4引脚 GBL封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
GBL10 D2
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
687-5611
搜索
HY Electronic Corp GBL06 单相 整流桥, 4A 600V, 4引脚 GBL封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
GBL06
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
923-5413
查看其他仓库
HY Electronic Corp GBL10 单相 整流桥, 4A 1000V, 4引脚 GBL封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
GBL10
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
923-5416
查看其他仓库
TE Connectivity 131435-1 20 路 接地端子块, 长 52mm
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
131435-1
品牌:
TE Connectivity
库存编号:
710-0261
搜索
Infineon IRGSL10B60KDPBF N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRGSL10B60KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0996
查看其他仓库
Infineon IRGSL6B60KDPBF N沟道 IGBT, 18 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRGSL6B60KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1003
查看其他仓库
Infineon IRG4BC40W-LPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRG4BC40W-LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0915
查看其他仓库
Infineon AUIRGSL30B60K N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRGSL30B60K
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1695
搜索
Infineon IRGS30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRGS30B60KPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3281
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZL, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7405
查看其他仓库
LEDiL Strada-T 系列 街道照明 LED 透镜 CA12333_STRADA-T-DW
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
CA12333_STRADA-T-DW
品牌:
Ledil
库存编号:
786-1855
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
FCB20N60F_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4762
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRF3805L
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8595
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRF3805L
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7442
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRF640NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2859
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Vishay VS-MURB1020CT-1PBF 二极管, Io=10A, Vrev=200V, 35ns, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
VS-MURB1020CT-1PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-3694
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Infineon IRG4BC15UD-LPBF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRG4BC15UD-LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3243
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LEDiL Heidi 系列 光点 4 ° 透镜组件 CA11663_HEIDI-RS, 包含:透镜
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
CA11663_HEIDI-RS
品牌:
Ledil
库存编号:
786-1701
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Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF1010ZL, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRF1010ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7661
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRF1404ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7683
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3004WL, 386 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262WL封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
AUIRF3004WL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4230
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF640L-GE3, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
SIHF640L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2635
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLSL3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRLSL3036PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3398
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZLPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:高度 11.3mm,
制造商零件编号:
IRL3705ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1006
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