规格:高度 20.95mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SGW30N60 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
SGW30N60
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3102
搜索
Fuji Electric FGW40N120HD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW40N120HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9032
搜索
Fuji Electric FGW30N120HD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW30N120HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9039
查看其他仓库
Infineon SKW30N60 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
SKW30N60
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6212
搜索
Fuji Electric FGW50N60HD N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW50N60HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9023
搜索
Fuji Electric FGW75N60HD N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW75N60HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9026
查看其他仓库
Fuji Electric FGW25N120VD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW25N120VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9042
查看其他仓库
Fuji Electric FGW50N60VD N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW50N60VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9045
查看其他仓库
Fuji Electric FGW35N60HD N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW35N60HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9014
查看其他仓库
Fuji Electric FGW30N60VD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW30N60VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9036
搜索
Fuji Electric FGW40N120VD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FGW40N120VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9051
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
查看其他仓库
Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW30N60S1HF, 30 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FMW30N60S1HF
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9008
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK16N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5047
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5107
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5138
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6167
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6198
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6255
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK14N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2891
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2945
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2372
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2417
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Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW20N60S1HF, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FMW20N60S1HF
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9004
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Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW79N60S1HF, 68 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:高度 20.95mm,
制造商零件编号:
FMW79N60S1HF
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9010
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