品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon BC 807U E6327, 双 PNP 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 200 MHz, 6引脚 SC-74封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BC 807U E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2380
搜索
Infineon TLE4906K, 霍尔效应传感器 双极, 13.9 mT, 2.7 → 24 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4906K
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9165
搜索
Infineon TLE4906-3K, 霍尔效应传感器开关 单极, 38.8 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4906-3K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8851
查看其他仓库
Infineon TLI4906K, 霍尔效应传感器开关 双极, 13.9 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLI4906K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8882
查看其他仓库
Infineon TLV4976-2K 霍尔效应传感器开关, 单极磁场, 5.1 mT, 3 → 18 V电源, 3引脚 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLV4976-2K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8914
查看其他仓库
Infineon TLE4976-1K, 霍尔效应传感器开关 单极, 11 mT, 3 → 24 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4976-1K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8876
查看其他仓库
Infineon TLE4976-2K, 霍尔效应传感器开关 单极, 5.1 mT, 3 → 24 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4976-2K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8879
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Infineon TLV4946K, 霍尔效应传感器开关 双极, 19.2 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLV4946K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8902
查看其他仓库
Infineon TLE4946-2K, 霍尔效应传感器 双极, 3.5 mT, 2.7 → 24 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4946-2K
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9147
查看其他仓库
Infineon TLE4916-1K 霍尔效应传感器开关, 单极磁场, 5 mT, 2.4 → 5 V电源, 3引脚 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4916-1K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8860
查看其他仓库
Infineon TLE4946K, 霍尔效应传感器开关 双极, 19.2 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLE4946K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8867
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Infineon TLV4946-2K, 霍尔效应传感器开关 双极, 19.2 mT, 2.7 → 18 V, 3针 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
TLV4946-2K
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8905
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Infineon BTS3800SL, 单输出 智能电源开关, 低侧开关, 0.52A, 41V, 5引脚 SCT595封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BTS3800SL
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9103
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014N03LS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC014N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8151
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC028N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5241
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC050N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5263
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC057N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5279
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC080N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5288
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSC520N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5323
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSZ035N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5358
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSZ105N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5361
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSZ160N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5373
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:高度 1.1mm,
制造商零件编号:
BSZ165N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
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