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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics L78xx 系列 L7805ABD2T-TR 线性稳压器, 最高 35 V输入, 5 V输出, 1.5A最大输出, 3引脚 D2PAK
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
L7805ABD2T-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
793-1342
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STI57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI57N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3006
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STI45N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI45N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5870
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STI24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7687
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STI300N4F6, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI300N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7696
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STI33N65M2, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI33N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5667
搜索
STMicroelectronics STPS20H100CGY-TR 肖特基 二极管, Io=20A, Vrev=100V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STPS20H100CGY-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
110-6545
搜索
STMicroelectronics STPS30H100CR 高电压 肖特基 二极管, Io=30A, Vrev=100V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STPS30H100CR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3582
查看其他仓库
STMicroelectronics STPS10150CG-TR 肖特基 二极管, Io=5A, Vrev=150V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STPS10150CG-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2964
搜索
Maxim DS1225AD-200+, 64kbit SRAM 内存, 8K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1225AD-200+
品牌:
Maxim
库存编号:
785-8691
搜索
Maxim DS1230Y-100+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1230Y-100+
品牌:
Maxim
库存编号:
785-8695
搜索
Maxim DS1230Y-200+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1230Y-200+
品牌:
Maxim
库存编号:
786-0701
搜索
Maxim DS1230Y-150+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1230Y-150+
品牌:
Maxim
库存编号:
786-0708
查看其他仓库
Maxim DS1230Y-200+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1230Y-200+
品牌:
Maxim
库存编号:
923-7595
搜索
Maxim DS1225AD-200+, 64kbit SRAM 内存, 8K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1225AD-200+
品牌:
Maxim
库存编号:
923-7598
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Maxim DS1244Y-70+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 3.3 → 5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1244Y-70+
品牌:
Maxim
库存编号:
923-7602
搜索
STMicroelectronics STPS20200CG-TR 肖特基 二极管, Io=30A, Vrev=200V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STPS20200CG-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7841
搜索
STMicroelectronics STPSC606G-TR 肖特基 二极管, Io=6A, Vrev=600V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STPSC606G-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2996
搜索
Maxim DS1230Y-150+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
DS1230Y-150+
品牌:
Maxim
库存编号:
923-7605
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STMicroelectronics L78xx 系列 L7805ABD2T-TR 线性稳压器, 最高 35 V输入, 5 V输出, 1.5A最大输出, 3引脚 D2PAK
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
L7805ABD2T-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-8965
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STB6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STB6N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3580
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STI18N65M2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI18N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5663
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STI40N65M2, 32 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STI40N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5676
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STMicroelectronics STTH810D 快速恢复 二极管, Io=8A, Vrev=1000V, 85ns, 2引脚 TO-220AC封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STTH810D
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
793-1396
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STMicroelectronics STPS41H100CG-TR 肖特基 二极管, Io=40A, Vrev=100V, 3引脚 D2PAK封装
规格:高度 9.35mm,
制造商零件编号:
STPS41H100CG-TR
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2980
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